現代功率半導體技術飛速發展至今，硅基功率半導體器件性能已逼近其材料極限。Si IGBT作為主流的硅基功率開關器件，其具有低導通損耗及低成本的優勢，但高開關損耗限制了其在高開關頻率、高功率密度變換器中的應用。作為世界公認能替代硅的下一代半導體材料，碳化硅材料具有禁帶寬度大、擊穿場強高、飽和漂移速率高和熱導率高等優點，更適用于高溫和高壓大功率領域。其中最具代表性的SiC MOSFET器件具有極低的導通電阻、更快的開關速度、更低的開關損耗和更高的擊穿電壓，SiC MOSFET能顯著提升電力電子變換器效率和功率密度，使電能變換器更容易實現小型化、輕量化，且更耐高溫高壓，其在新能源和混合動力汽車應用中具有廣泛的應用前景。
SiC MOSFET與Si IGBT在新能源汽車上的應用（來源：比亞迪）
舊愛：Si IGBT
自晶閘管和功率晶體管問世和應用以來，隨著Si基器件不斷地完善和改進，相繼出現了電力晶體管（GTR）、門極可關斷晶閘管（GTO）、金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）和絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）等電力電子器件。相比其他Si基功率器件，Si IGBT是由BJT和MOSFET兩種結構組成的復合全控型電壓驅動式功率器件，該功率器件不但具備電流容量大、導通壓降低以及成本較低等優勢，同時其驅動功率小且驅動控制電路簡單。因此，該功率器件已被廣泛運用在不同變換器中。
The Business Research Company的數據研究指出，全球Si IGBT市場規模將從2022年的72.7億美元增長到2023年的84.2億美元，CAGR為15.7%，到2027年將增長至152.7億美元，CAGR為16.0%。
從Si IGBT上游生產企業來看，目前全球有接近70%的Si IGBT市場被英飛凌、三菱電機、富士電機、ABB、安森美等國外公司占領。雖然國內一些公司如株洲中車時代電氣、比亞迪、中芯國際、吉林華微等的Si IGBT市場占有量雖在逐年增長，但和這些外國公司相比仍然存在一定差距。
從Si IGBT下游應用領域來看，新能源汽車、消費電子和工業控制合計占比78%，三大行業占比分別為31%、27%和20%。其中，尤其是新能源汽車是推動Si IGBT市場高速增長的最主要動力。
然而，近年來受限于Si材料特性所決定的性能理論極限，Si IGBT的發展已遇瓶頸：
①受拖尾電流影響，開關速度受限。雖然Si IGBT內部結構在不斷優化，使其開關速度得到有效提高，但由于該功率器件關斷時拖尾電流的影響，其關斷速度的提高仍然有限，這意味著Si IGBT關斷損耗無法有效減小。
②在大功率范圍內，導通電阻變化大。由于Si IGBT正向導通時具有與PN結導通時類似的特性，因此該功率器件無法在很寬的功率范圍內保持低導通電阻，特別是在功率等級較低時，Si IGBT的導通損耗較大。
③受器件結溫影響，導通電阻變化大。由于Si IGBT具有正溫度系數特性，使得其內部導通電阻隨著結溫增加而增大，因此該功率器件在較高結溫下運行時，損耗較大。
綜上所述，Si IGBT較低開關速度和較高功率損耗問題限制了逆變器中無源濾波器以及散熱器的進一步縮小，從而使得該裝置難以滿足更高效率和功率密度的應用需求。尤其是新能源汽車領域，傳統Si IGBT芯片在高壓快充車型中已經達到了材料的物理極限，所以新能源汽車開始紛紛擁抱SiC。
新歡：SiC MOSFET
與Si IGBT相比，SiC MOSFET的優勢有：
①更高的熱導率，散熱更容易，使SiC MOSFET相比Si IGBT具有更高的工作溫度特性，即在高溫運行時穩定性得到明顯提升。
②更高的電子飽和速度，使SiC MOSFET在較大結溫變化和功率變化范圍內的導通電阻均較低，故該功率器件導通損耗低。
③更高的電子遷移率，使SiC MOSFET具有更快的開關速度，因此該功率器件的工作頻率可以更高。
④更寬的禁帶寬度使SiC MOSFET具有更高的耐壓能力。
SiC和Si材料基本性能對比（來源：陳明文等，《新能源汽車功率器件損耗特性和效率分析》）
基于以上優點，并隨著碳化硅器件制造工藝的不斷提升，SiC MOSFET的價格已有顯著下降，因此SiC MOSFET已逐漸被推廣到光伏逆變、電動汽車、供電電源、基站通信、軌道交通等應用領域。
據TrendForce研究統計，SiC功率元件的前兩大應用為電動汽車與再生能源領域，在2022年分別已達到10.9億美元及2.1億美元，占整體SiC功率元件市場產值約67.4%和13.1%。隨著安森美、英飛凌等與汽車、能源業者合作項目明朗化，將推動2023年整體SiC功率元件市場產值達22.8億美元，年成長41.4%。至2026年SiC功率元件市場產值可望達53.3億美元，主流應用仍倚重電動汽車及再生能源，電動汽車產值可達39.8億美元、CAGR約38%；再生能源達4.1億美元、CAGR約19%。
舊愛不可棄，新歡猶可為
一邊是光鮮亮麗的新歡，一邊是日益無力的舊愛，是否意味著SiC MOSFET要完全替代Si IGBT了呢？實則不然?，F階段SiC MOSFET仍然存在一些問題，不僅導致其無法有效撼動Si IGBT作為功率器件的舊愛地位，同時也限制了SiC MOSFET大規模產業化推廣和應用。
①受SiC材料缺陷密度高、SiC器件設計和工藝成熟度、產品良率和可靠性較低等問題限制，單芯片SiC MOSFET的額定電流遠小于單芯片Si IGBT的額定電流，這限制了SiC MOSFET向更高功率等級發展。目前，羅姆半導體集團的商用1200V SiC MOSFET（SCT3022KLHR）分立器件的最大載流能力為95A，商用650V SiC MOSFET（SCT3017AL）分立器件的最大載流能力為118A；科銳公司的商用1200V SiC MOSFET（C3M0016120D）分立器件的最大載流能力為115A，商用650V SiC MOSFET（C3M0015065D）分立器件的最大載流能力為120A；英飛凌公司的商用1200V Si IGBT（IKY75N120CH3）分立器件的最大載流能力可達150A，650V Si IGBT（IGZ100N65H5）分立器件的最大載流能力可達161A。實際上，兩種類型功率模塊的載流能力差距更大，Si IGBT模塊載流能力超過SiC MOSFET模塊載流能力的5倍以上。
②SiC MOSFET長時間運行的可靠性仍要差于Si IGBT，這限制了該功率器件在高可靠電能變換領域中的應用。相比Si IGBT，SiC MOSFET主要體現在短路能力和柵氧在高溫強電場下的可靠性不足。
③受高昂SiC材料成本、復雜器件制作工藝以及較低產品良品率等因素的影響，SiC MOSFET的成本與同類Si IGBT分立器件相比仍然有較大差距，這阻礙了SiC器件大規模的產業化推廣。SiC MOSFET分立器件的單價是Si IGBT分立器件成本的3-15倍，且隨著載流能力的提升，價格差距也越來越大。
SiC MOSFET和Si IGBT成本對比（來源：彭子舜，《Si IGBT/SiC MOSFET混合器件的開關控制策略及其應用研究》）
④SiC MOSFET的開關速度更快，這意味著該功率器件將在開關過程中產生更高的dv/dt和di/dt，從而產生更嚴重的傳導EMI噪聲而威脅變換器性能及可靠性。因此，采用SiC MOSFET將對變換器EMI噪聲的抑制提出更高要求。
綜合上述特點來看，SiC MOSFET并不適用于一些低成本、低功率的應用場景。因此想要完全替代成本優勢明顯的Si IGBT有很大的難度。此外，伴隨著封裝技術的進步，Si IGBT器件的性能和功率密度越來越高。同時，針對不同應用而開發的產品，可以做一些特別的優化處理，從而提高Si器件在系統中的表現，從而進一步提高系統性能和性價比。
來源：粉體網