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深圳市重投天科半導體有限公司

導電型4H-SiC襯底晶片

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導電型4H-SiC襯底晶片

導電型4H-SiC襯底晶片

晶片尺寸：4~6英寸

晶片厚度：350 μm ± 15 μm

電阻率：0.015~0.024 Ω·cm

產品用途：產品主要于制造SiC電力電子

器件及SiC襯底上GaN光電子器件。

導電型4H-SiC外延晶片

導電型4H-SiC晶體

晶體尺寸：4~6英寸

電阻率：0.015~0.024 Ω·cm

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